薄膜沉积设备是芯片制造的核心设备,主要用于在硅片表面沉积纳米级薄膜材料,其技术原理和工艺直接影响芯片性能。其技术原理是通过 化学气相沉积 (CVD)、 物理气相沉积 (PVD)和 原子层沉积 (ALD)等技术实现。
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