PCIM Asia Shanghai国际研讨会 | 聚焦宽禁带半导体未来 碳化硅技术前沿突破全解析!
9月24日 10:55-12:45
上海新国际博览中心·N4馆
由富士电机 Naoto Fujishima 教授主持，四大顶尖专家联袂登场，揭秘SiC技术从器件研发到应用落地的全链条创新！
演讲日程：
-宋清亮 | 英飞凌
400V SiC MOSFET如何助力AI服务器电源效率与密度双提升？
-Paula Reigosa Diaz | SwissSEM
1.2kV SiC MOSFET动态损耗优化——P-well接触设计的革命性影响！
-万祥宇 | 华中科技大学
直流断路器中的SiC过电流关断能力：
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