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9月24日 10:55-12:45 上海新国际博览中心·N4馆 由富士电机 Naoto Fujishima 教授主持，四大顶尖专家联袂登场，揭秘SiC技术从器件研发到应用落地的全链条创新！ 演讲日程： -宋清亮 | 英飞凌 400V SiC MOSFET如何助力AI服务器电源效率与密度双提升？ -Paula Reigosa Diaz | SwissSEM 1.2kV SiC MOSFET动态损耗优化——P-well接触设计的革命性影响！ -万祥宇 | 华中科技大学 直流断路器中的SiC过电流关断能力：
太阳能双面爆闪灯户外预警，感应触发警示功能。
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